NVMFS6H818NWFT1G
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | NVMFS6H818NWFT1G |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $3.08 |
10+ | $2.77 |
100+ | $2.2692 |
500+ | $1.9317 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 190µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 20A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3.8W (Ta), 136W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3100 pF @ 40 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 20A (Ta), 123A (Tc) |
Grundproduktnummer | NVMFS6 |
NVMFS6H818NWFT1G Einzelheiten PDF [English] | NVMFS6H818NWFT1G PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 80V 19A/103A 5DFN
MOSFET N-CH 80V 15A/74A 5DFN
MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN
T8 80V SO8FL
MOSFET N-CH 80V 15A/74A 5DFN
MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
MOSFET N-CH 80V 16A/77A 5DFN
T8 80V SO8FL
MOSFET N-CH 80V 20A/110A 5DFN
MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
MOSFET N-CH 80V 19A/103A 5DFN
MOSFET N-CH 80V 16A/77A 5DFN
MOSFET N-CH 80V 20A/110A 5DFN
TRENCH 8 80V NFET
TRENCH 8 80V NFET
MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
MOSFET N-CH 80V 24A/160A 5DFN
MOSFET N-CH 80V 24A/160A 5DFN
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() NVMFS6H818NWFT1Gonsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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